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  • 直播簡介

    直播時間:4月20日 上午10:00-11:30

    直播主題:基于Source-down技術的全新英飛凌MOSFET,有效提升功率密度,肉眼可見

    直播介紹:

    無論是開關電源還是馬達驅動,工程師們通常都在孜孜不倦地追求三“高”:更高的效率,更高的功率密度,以及更高的可靠性??墒乾F有PCB空間已經非常狹小了,如何實現這些目標?這通常困擾著設計工程師。為了解決大家困擾已久的問題,英飛凌創新地推出了基于Source-down技術的全新功率OptiMOS? MOSFET,就是為了幫助客戶工程師解決這些設計挑戰。本次直播英飛凌與合作伙伴品佳集團一起為您全面詳細的介紹英飛凌創新的OptiMOS? MOSFET。為您今后的設計提供新的思路,絕對物有所值。

    產品介紹:

    圍繞 OptiMOS? 低壓功率MOSFET,英飛凌推出了“源極底置(Source Down)”的概念,它不僅是“芯片內部結構的翻轉”,同時也對整個封裝進行了優化。通過優化芯片內核以及轉接夾片,極大地降低了導通電阻RDS(on),同時熱阻RthJC也顯著降低。 另外,源極底置(Source Down)技術提升了MOSFET的最大連續和脈沖漏極電流能力,使電氣工程師能夠顯著提高產品設計的功率密度。 點擊圖片觀看Source-down技術更多介紹

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